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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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SI1471DH-T1-GE3
SI1471DH-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、2.78W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.42402

9000

5-7 工作日

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合计: ¥22.42402

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SI1473DH-T1-GE3
SI1473DH-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、2.78W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥80.51208

9000

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合计: ¥80.51208

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SI2327DS-T1-GE3
SI2327DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 380毫安 (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.57128

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合计: ¥17.57128

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SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Tc) 最大功耗: 1.3W(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.89380

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合计: ¥9.89380

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SQS423ENW-T1_GE3
SQS423ENW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.25316

9000

5-7 工作日

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合计: ¥46.25316

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SI3447CDV-T1-GE3
SI3447CDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta)、3W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.41769

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.41769

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SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 950毫安(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP

¥68.09775

9000

5-7 工作日

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合计: ¥68.09775

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SI3805DV-T1-GE3
SI3805DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 1.1W(Ta)、1.4W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.51573

9000

5-7 工作日

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合计: ¥12.51573

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SI4004DY-T1-GE3
SI4004DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC

¥56.65396

9000

5-7 工作日

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合计: ¥56.65396

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SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、4.8W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.12998

9000

5-7 工作日

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合计: ¥31.12998

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SI4104DY-T1-GE3
SI4104DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.05027

9000

5-7 工作日

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合计: ¥16.05027

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SI4190DY-T1-GE3
SI4190DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.56360

9000

5-7 工作日

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合计: ¥33.56360

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SI4403BDY-T1-GE3
SI4403BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.35W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.47477

9000

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合计: ¥37.47477

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SI4409DY-T1-GE3
SI4409DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、4.6W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.56936

9000

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合计: ¥21.56936

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SI4418DY-T1-GE3
SI4418DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.91462

9000

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合计: ¥26.91462

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SI4446DY-T1-GE3
SI4446DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.68956

9000

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合计: ¥12.68956

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SI4470EY-T1-GE3
SI4470EY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.85W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.96815

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.96815

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SI4472DY-T1-GE3
SI4472DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.30391

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合计: ¥61.30391

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SI4484EY-T1-GE3
SI4484EY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥71.58882

9000

5-7 工作日

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合计: ¥71.58882

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SI4487DY-T1-GE3
SI4487DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥44.09478

9000

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合计: ¥44.09478

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