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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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SI7794DP-T1-GE3
SI7794DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28.6A (Ta), 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.86636

9000

5-7 工作日

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合计: ¥36.86636

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SIHB22N60S-GE3
SIHB22N60S-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.41490

9000

5-7 工作日

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合计: ¥41.41490

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SIHA22N60AEL-GE3
SIHA22N60AEL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.42843

9000

5-7 工作日

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合计: ¥43.42843

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SIHP22N60AEL-GE3
SIHP22N60AEL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.13958

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.13958

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SI1056X-T1-GE3
SI1056X-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.32A(Ta) 最大功耗: 236毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥86.23397

9000

5-7 工作日

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合计: ¥86.23397

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SI1300BDL-T1-GE3
SI1300BDL-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Tc) 最大功耗: 190mW(Ta),200mW(Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥63.63612

9000

5-7 工作日

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合计: ¥63.63612

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SI1304BDL-T1-GE3
SI1304BDL-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Tc) 最大功耗: 340mW (Ta), 370mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.84411

9000

5-7 工作日

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合计: ¥22.84411

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SI1305DL-T1-GE3
SI1305DL-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 860毫安 (Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥97.40252

9000

5-7 工作日

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合计: ¥97.40252

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SI1307EDL-T1-GE3
SI1307EDL-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥95.80908

9000

5-7 工作日

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合计: ¥95.80908

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SI1400DL-T1-GE3
SI1400DL-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.46478

9000

5-7 工作日

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合计: ¥88.46478

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SI1403CDL-T1-GE3
SI1403CDL-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Tc) 最大功耗: 600mW (Ta), 900mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.99088

9000

5-7 工作日

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合计: ¥18.99088

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SI1405BDH-T1-GE3
SI1405BDH-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 1.47W(Ta)、2.27W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.74367

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.74367

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SI1406DH-T1-GE3
SI1406DH-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥58.16049

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合计: ¥58.16049

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SI1413EDH-T1-GE3
SI1413EDH-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.92565

9000

5-7 工作日

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合计: ¥3.92565

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SI1417EDH-T1-GE3
SI1417EDH-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.30180

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合计: ¥5.30180

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SI1422DH-T1-GE3
SI1422DH-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.56W(Ta),2.8W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥208.74038

9000

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合计: ¥208.74038

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SI1426DH-T1-GE3
SI1426DH-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.93582

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合计: ¥12.93582

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SI1470DH-T1-GE3
SI1470DH-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.72189

9000

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合计: ¥5.72189

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SI4778DY-T1-E3
SI4778DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.47467

9000

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合计: ¥7.47467

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SQ7415AENW-T1_GE3
SQ7415AENW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥139.52723

9000

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合计: ¥139.52723

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