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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SIR864DP-T1-GE3
SIR864DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.64754

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.64754

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SIS496EDNT-T1-GE3
SIS496EDNT-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.63258

9000

5-7 工作日

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合计: ¥10.63258

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SIS626DN-T1-GE3
SIS626DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.31581

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.31581

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SIS778DN-T1-GE3
SIS778DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.37423

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.37423

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SMM2348ES-T1-GE3
SMM2348ES-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥75.34065

9000

5-7 工作日

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合计: ¥75.34065

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SQM120N04-1M4L_GE3
SQM120N04-1M4L_GE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

¥44.77561

9000

5-7 工作日

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合计: ¥44.77561

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SUP45P03-09-GE3
SUP45P03-09-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 73.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.25547

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.25547

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SI4833BDY-T1-GE3
SI4833BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.75W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.48781

9000

5-7 工作日

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合计: ¥40.48781

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SIS612EDNT-T1-GE3
SIS612EDNT-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥71.74817

9000

5-7 工作日

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合计: ¥71.74817

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SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.72822

9000

5-7 工作日

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合计: ¥22.72822

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SI5411EDU-T1-GE3
SI5411EDU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet单 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥71.96545

9000

5-7 工作日

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合计: ¥71.96545

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SIA453EDJ-T1-GE3
SIA453EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.84948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.84948

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SUD50P04-08-E3
SUD50P04-08-E3
MOSFET P-CH 40V DPAK

¥34.86732

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.86732

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SIR808DP-T1-GE3
SIR808DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 29.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥68.01083

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.01083

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SUD45P04-16P-GE3
SUD45P04-16P-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),41.7W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.08317

9000

5-7 工作日

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合计: ¥38.08317

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SUD50N03-12P-GE3
SUD50N03-12P-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.8A (Ta) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.84699

9000

5-7 工作日

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合计: ¥16.84699

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SUM120N04-1M7L-GE3
SUM120N04-1M7L-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.67124

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.67124

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SUM50P10-42-E3
SUM50P10-42-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 18.8W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥74.32664

9000

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合计: ¥74.32664

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SIR812DP-T1-GE3
SIR812DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.35447

9000

5-7 工作日

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合计: ¥16.35447

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SI7792DP-T1-GE3
SI7792DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40.6A (Ta), 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.15551

9000

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合计: ¥8.15551

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