•TrenchFET®功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg和UIS测试
•典型ESD保护：4000 V（HBM）
•材料分类：有关合规性的定义，请参见www.vishay.com/doc？99912
应用
•便携式设备，如智能手机，
平板电脑和移动计算
-负载开关
-电源管理
-输入保护开关（过电压、反向电压）
（图片：引线/示意图）
SIA453EDJ-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥41.84948
-
数量:
- +
- 总计: ¥41.85
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
- 工作温度 -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 66 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF@15 V
- 最大功耗 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- 供应商设备包装 PowerPAKSC-70-6
- 包装/外壳 PowerPAKSC-70-6
- 导通电阻 Rds(ON) 18.5毫欧姆 @ 5A, 10V
SIA453EDJ-T1-GE3 产品详情
特征
•TrenchFET®功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg和UIS测试
•典型ESD保护：4000 V（HBM）
•TrenchFET®功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®SC-70封装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg和UIS测试
•典型ESD保护：4000 V（HBM）
SIA453EDJ-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIA918EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA928DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18436 |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37977 |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SIA911ADJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.4819 |
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | SIA778DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 |
SIA453EDJ-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIA453EDJ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIA453EDJ-T1-GE3价格参考￥41.849476，你可以下载 SIA453EDJ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIA453EDJ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
