9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM120N04-1M7L-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM120N04-1M7L-GE3参考价格$2.854。Vishay Siliconix SUM120N04-1M7L-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A TO263。您可以下载SUM120N04-1M7L-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUM110P08-11L-E3是MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为375W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为10850pF@40V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为110A（Tc），最大Id Vgs的Rds为11.2mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为270nC@10V，Pd功耗为13.6W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为550 ns，上升时间为330ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为23.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-80V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为135ns，典型导通延迟时间为20ns，沟道模式为增强型。
SUM110P06-08L-E3是MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），系列为TrenchFETR，上升时间为190 ns，Rds On Max Id Vgs为8 mOhm@30A，10V，Rds On Drain Source Resistance为8 mOhm，Power Max为3.75W，Pd功耗为3.75 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+175 C，输入电容Cis-Vds为9200pF@25V，Id连续漏极电流为110 A，栅极电荷Qg-Vgs为240nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为300 ns，漏极-源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为110A（Tc），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
SUM110P06-08L，带有VISHAY制造的电路图。SUM110P06-08L在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
SUM110P08-11L，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SUM110P08-11L在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
