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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIJ458DP-T1-GE3
SIJ458DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.48724

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.48724

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SIR408DP-T1-GE3
SIR408DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 44.6W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.41385

9000

5-7 工作日

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合计: ¥13.41385

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SIR412DP-T1-GE3
SIR412DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.86684

9000

5-7 工作日

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合计: ¥35.86684

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SIR802DP-T1-GE3
SIR802DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.95414

9000

5-7 工作日

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合计: ¥4.95414

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SIA430DJ-T4-GE3
SIA430DJ-T4-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.68236

9000

5-7 工作日

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合计: ¥27.68236

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SIA462DJ-T4-GE3
SIA462DJ-T4-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.64754

9000

5-7 工作日

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合计: ¥9.64754

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SIS478DN-T1-GE3
SIS478DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.55391

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.55391

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SQ7414AEN-T1_GE3
SQ7414AEN-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.35927

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.35927

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SUM110N04-2M1P-E3
SUM110N04-2M1P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A (Ta), 110A (Tc) 最大功耗: 3.13W (Ta), 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.07636

9000

5-7 工作日

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合计: ¥22.07636

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SUM90N04-3M3P-E3
SUM90N04-3M3P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥95.91048

9000

5-7 工作日

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合计: ¥95.91048

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2N4339
2N4339
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥174.82912

0

5-7 工作日

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合计: ¥174.82912

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2N4391
2N4391
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥179.08650

0

5-7 工作日

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合计: ¥179.08650

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2N4391-E3
2N4391-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥128.03999

0

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合计: ¥128.03999

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2N4392-E3
2N4392-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥69.32324

0

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合计: ¥69.32324

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2N4393
2N4393
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥115.08244

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5-7 工作日

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合计: ¥115.08244

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2N4393-E3
2N4393-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥83.69750

0

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合计: ¥83.69750

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2N4416
2N4416
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥133.37800

0

5-7 工作日

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合计: ¥133.37800

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2N4416A
2N4416A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥344.14929

0

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合计: ¥344.14929

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2N4416A-E3
2N4416A-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥97.95588

0

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合计: ¥97.95588

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2N4858JTXV02
2N4858JTXV02
JFET N-CH 40V 80MA TO-18

¥29.54814

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合计: ¥29.54814

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