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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI7635DP-T1-GE3
SI7635DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.03722

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.03722

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SI7703EDN-T1-GE3
SI7703EDN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.37787

9000

5-7 工作日

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合计: ¥88.37787

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SI7774DP-T1-GE3
SI7774DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.23522

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.23522

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SI8445DB-T2-E1
SI8445DB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta),11.4W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.13478

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.13478

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SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Tc) 最大功耗: 2.77W(Ta),13W(Tc) 供应商设备包装: 6-Micro Foot (1.5x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.51765

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.51765

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SI8461DB-T2-E1
SI8461DB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.65435

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.65435

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SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.83394

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.83394

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SI8473EDB-T1-E1
SI8473EDB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.11301

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.11301

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SI8475EDB-T1-E1
SI8475EDB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.15320

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.15320

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SIA406DJ-T1-GE3
SIA406DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.11886

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.11886

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SIA425EDJ-T1-GE3
SIA425EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 2.9W(Ta),15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.54854

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.54854

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SIB455EDK-T1-GE3
SIB455EDK-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥80.38170

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.38170

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SIB488DK-T1-GE3
SIB488DK-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.65627

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.65627

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SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(S) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.59449

9000

5-7 工作日

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合计: ¥29.59449

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SIE836DF-T1-GE3
SIE836DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.3A(Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(SH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.86483

9000

5-7 工作日

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合计: ¥9.86483

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SIE848DF-T1-GE3
SIE848DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.74223

9000

5-7 工作日

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合计: ¥23.74223

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SIE854DF-T1-GE3
SIE854DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.52782

9000

5-7 工作日

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合计: ¥17.52782

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SIE860DF-T1-GE3
SIE860DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(M) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.03875

9000

5-7 工作日

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合计: ¥40.03875

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SIE868DF-T1-GE3
SIE868DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.77849

9000

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合计: ¥38.77849

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SIE878DF-T1-GE3
SIE878DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 25W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.75009

9000

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- +

合计: ¥67.75009

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