9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA425EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA425EDJ-T1-GE3参考价格为0.628美元。Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA425EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA421DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6，包括SIA4xxDJ系列，它们设计为与卷筒包装一起工作，数据表注释中显示了用于SIA421DJ-GE3的部件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAK-SC-70-6以及Si技术中工作，该设备还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.5W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30 ns，典型接通延迟时间为40 ns，正向跨导最小值为15 S，沟道模式为增强。
SIA417DJ-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6。SIA417DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6、P沟道8V 12A（Tc）3.5W（Ta）、19W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 8V 12A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。
SIA419DJ-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6。SIA419DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6、P沟道20V 12A（Tc）3.5W（Ta）、19W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6单。
