9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD45P03-10-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD45P03-10-E3参考价格为5.676美元。Vishay Siliconix SUD45P03-10-E3封装/规格：MOSFET P-CH 30V TO252。您可以下载SUD45P03-10-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SUD45P03-10-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SUD45P03-09-GE3是MOSFET P-CH 30V 45A DPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252（D-Pak），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.1W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2700pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为45A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.7mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为90nC@110V，Pd功耗为2.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为45 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-1 V至-2.5 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为8.7mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为45S，沟道模式为增强。
SUD45P03-09，带有Vishay制造的用户指南。SUD45P03-09提供TO-252封装，是FET的一部分-单个。
SUD45P03-10，带有VISHAY制造的电路图。SUD45P03-10提供TO-252-2封装，是FET的一部分-单个。
