9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA448DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA448DJ-T1-GE3参考价格为1.534美元。Vishay Siliconix SIA448DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA448DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA445EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA445EDJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2130pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为16.5 mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V、Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为16.5 mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为23 nC。
SIA447DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L，包括-0.85 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-850 mV Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12V，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIA4xxDJ系列，该器件具有60 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为13.5 mOhms，Qg栅极电荷为80 nC，Pd功耗为19 W，部件别名为SIA447DJ-GE3，封装为卷轴，封装外壳为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-12A，正向跨导最小值为35S，下降时间为50ns，配置为单一。
SIA446DJ-T1-GE3是MOSFET 150V.177ohm@10V7.7A N-CH，包括单一配置，其设计为在10 ns下降时间下运行，数据表注释中显示了用于6 S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流特性，如7.7 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerPAK-SC-70-6封装盒，该器件具有一个卷式封装，Pd功耗为19 W，Qg栅极电荷为5.3 nC，Rds漏极源极电阻为165 mOhm，上升时间为13 ns，系列为SIA4xxDJ，技术为Si，商品名为ThunderFET TrenchFET，并且晶体管极性是N沟道，并且晶体管类型是1N沟道，典型关断延迟时间是10ns，典型接通延迟时间是5ns，并且Vds漏极-源极击穿电压是150V，Vgs栅源极电压是20V，并且Vgs栅-源极阈值电压是3.5V。
