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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SIR800DP-T1-RE3
SIR800DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 69W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.97778

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,933.34900

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IRFBE20
IRFBE20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥59.01515

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.01515

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IRF730A
IRF730A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.29796

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.29796

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IRFBE30
IRFBE30
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.82962

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.82962

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IRF730AS
IRF730AS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.98801

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.98801

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SQP120N10-3M8_GE3
SQP120N10-3M8_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.24327

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,121.63600

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IRFBF20
IRFBF20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.73638

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.73638

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IRFBG20
IRFBG20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.18208

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.18208

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SQJ412EP-T2_GE3
SQJ412EP-T2_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.99451

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,983.54200

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IRFBG30
IRFBG30
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.12605

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SQJ456EP-T2_GE3
SQJ456EP-T2_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.99451

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,983.54200

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IRF614S
IRF614S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.17833

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.17833

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IRF624S
IRF624S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.72198

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.72198

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IRF740A
IRF740A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥98.90904

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥98.90904

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IRF740AS
IRF740AS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.41586

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.41586

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SIHG22N65E-GE3
SIHG22N65E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.99626

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,498.13100

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SIHG32N50D-E3
SIHG32N50D-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 390W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.03204

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,516.02100

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SIHP24N65EF-GE3
SIHP24N65EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.09665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,096.64900

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SIHF35N60E-GE3
SIHF35N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.09665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,096.64900

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SIHA24N65EF-E3
SIHA24N65EF-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.15640

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,156.40200

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