品牌介绍
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.06907 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.06907 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.69196 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.69196 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH SMD | ¥11.03818 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.03818 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.56W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.96863 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.96863 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.56W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.21537 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.21537 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.54959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.54959 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、5.7W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.28780 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.28780 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.96479 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥116.65415 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥116.65415 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.24251 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.24251 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.55967 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.55967 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.25163 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.25163 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥200.70076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥200.70076 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥215.57768 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥215.57768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.93639 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.93639 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥33.56360 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.56360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.32502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.32502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.92335 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.92334 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.79000 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.79000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.42786 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.42786 | 添加到BOM 立即询价 |