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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI5449DC-T1-GE3
SI5449DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.81610

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.81610

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SI5461EDC-T1-E3
SI5461EDC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.47535

9000

5-7 工作日

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合计: ¥75.47535

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SI5461EDC-T1-GE3
SI5461EDC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.25739

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.25739

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SI5463EDC-T1-GE3
SI5463EDC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.25499

9000

5-7 工作日

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合计: ¥12.25499

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SI5473DC-T1-GE3
SI5473DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.13622

9000

5-7 工作日

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合计: ¥18.13622

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SI5475BDC-T1-E3
SI5475BDC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.57367

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.57367

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SI5475BDC-T1-GE3
SI5475BDC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.43755

9000

5-7 工作日

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合计: ¥24.43755

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SI5475DC-T1-E3
SI5475DC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.61521

9000

5-7 工作日

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合计: ¥16.61521

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SI5475DC-T1-GE3
SI5475DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.03971

9000

5-7 工作日

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合计: ¥38.03971

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SI5479DU-T1-GE3
SI5479DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.27139

9000

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合计: ¥8.27139

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SI5480DU-T1-GE3
SI5480DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥66.88094

9000

5-7 工作日

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合计: ¥66.88094

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SI5481DU-T1-GE3
SI5481DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.34631

9000

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合计: ¥33.34631

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SI5482DU-T1-GE3
SI5482DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥127.28673

9000

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合计: ¥127.28673

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SI5484DU-T1-GE3
SI5484DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.48004

9000

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合计: ¥26.48004

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SI5485DU-T1-GE3
SI5485DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.79297

9000

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合计: ¥38.79297

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SI5853CDC-T1-E3
SI5853CDC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、3.1W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.65675

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.65675

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SI5857DU-T1-GE3
SI5857DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),10.4W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.76007

9000

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合计: ¥16.76007

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SI5858DU-T1-GE3
SI5858DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),8.3W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.18544

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.18544

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SI5913DC-T1-E3
SI5913DC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、3.1W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.73791

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合计: ¥32.73791

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SI6404DQ-T1-E3
SI6404DQ-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 1.08W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.18496

9000

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合计: ¥7.18496

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