Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.81610 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.81610 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.47535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.47535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.25739 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.25739 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.25499 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.25499 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.13622 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.13622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.57367 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.57367 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.43755 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.43755 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.61521 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.61521 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥38.03971 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.03971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.27139 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.27139 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥66.88094 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.88094 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥33.34631 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.34631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥127.28673 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.28673 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.48004 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.48004 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥38.79297 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.79297 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、3.1W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.65675 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.65675 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),10.4W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.76007 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.76007 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),8.3W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.18544 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.18544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、3.1W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.73791 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.73791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 1.08W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.18496 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.18496 | 添加到BOM 立即询价 |