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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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描述
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LDTB113ZLT1G
LDTB113ZLT1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.25981

2970

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25981

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LDTD113ZLT1G
LDTD113ZLT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.24722

2290

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24722

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S-LMUN5211DW1T1G
S-LMUN5211DW1T1G
暂无

¥0.29807

3150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29807

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LDTC114EM3T5G
LDTC114EM3T5G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥1.19829

7690

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.19829

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LMUN5233T1G
LMUN5233T1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):202mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.14105

1560

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14105

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LDTC144EET1G
LDTC144EET1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.10140

2850

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10140

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LMUN5213T1G
LMUN5213T1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.14111

1460

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14111

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LMUN5313DW1T1G
LMUN5313DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16297

2300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16297

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LMUN5211T1G
LMUN5211T1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):202mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15672

2860

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15672

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LDTC123EET1G
LDTC123EET1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.19713

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19713

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LDTC114TET1G
LDTC114TET1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.18774

2960

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18774

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LMUN5216DW1T1G
LMUN5216DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.43969

2870

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.43969

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LDTA143EET1G
LDTA143EET1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.18774

2960

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18774

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LMUN5335DW1T1G
LMUN5335DW1T1G
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 功率(Pd):250mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16441

5830

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16441

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LMUN5232T1G
LMUN5232T1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.18774

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18774

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LMUN5211DW1T1G
LMUN5211DW1T1G
晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):256mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16586

1646

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16586

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LMUN2240LT1G
LMUN2240LT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16662

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16662

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LMUN2241LT1G
LMUN2241LT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.22529

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22529

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LMUN2116LT1G
LMUN2116LT1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.20886

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20886

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LMUN5232DW1T1G
LMUN5232DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.44634

3000

2-3 工作日

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合计: ¥0.44634

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