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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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品牌型号
描述
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操作
LMUN2212LT1G
LMUN2212LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12619

9620

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12619

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LDTC143ZET1G
LDTC143ZET1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.10357

2790

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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LMUN2211LT1G
LMUN2211LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.11211

24200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11211

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LMUN2111LT1G
LMUN2111LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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LMUN2232LT1G
LMUN2232LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.08474

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08474

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LMUN2233LT1G
LMUN2233LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

23825

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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LMUN2112LT1G
LMUN2112LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12611

9320

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12611

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LMUN2133LT1G
LMUN2133LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.08185

1270

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08185

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LMUN2235LT1G
LMUN2235LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.09199

21825

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09199

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LDTC114EET1G
LDTC114EET1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15938

9620

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15938

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LMUN2213LT1G
LMUN2213LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12288

7240

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12288

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LMUN2214LT1G
LMUN2214LT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

13760

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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LMUN2131LT1G
LMUN2131LT1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.14582

6860

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14582

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S-LMUN5311DW1T1G
S-LMUN5311DW1T1G
暂无

¥0.24194

4160

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24194

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LDTD123YLT1G
LDTD123YLT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.25133

5

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25133

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LMUN5214DW1T1G
LMUN5214DW1T1G
晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):256mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16441

1760

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16441

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LMUN2215LT1G
LMUN2215LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.13876

4820

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13876

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LMUN5213DW1T1G
LMUN5213DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.30169

4380

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30169

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LMUN2135LT1G
LMUN2135LT1G
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.14001

4260

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14001

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LMUN2132LT1G
LMUN2132LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.08112

420

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08112

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