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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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品牌型号
描述
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LMUN5215DW1T1G
LMUN5215DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.39971

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39971

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LMUN2134LT1G
LMUN2134LT1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.22529

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22529

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LMUN5314DW1T1G
LMUN5314DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15427

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15427

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S-LMUN2211LT1G
S-LMUN2211LT1G
暂无

¥0.20243

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20243

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LDTA144EET1G
LDTA144EET1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.19713

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19713

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LDTD114ELT1G
LDTD114ELT1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.26647

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26647

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LMUN5114DW1T1G
LMUN5114DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.34255

2940

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34255

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LDTC123JET1G
LDTC123JET1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.11009

10799

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11009

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LDTC143EET1G
LDTC143EET1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.18748

2640

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18748

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LMUN2216LT1G
LMUN2216LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12611

60

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12611

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LMUN2113LT1G
LMUN2113LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

1995

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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LDTA143XLT1G
LDTA143XLT1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15182

1820

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15182

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LMUN5114T1G
LMUN5114T1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.13468

1660

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13468

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LDTC114YET1G
LDTC114YET1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15916

1560

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15916

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LDTA143TET1G
LDTA143TET1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12890

2000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12890

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LMUN5235T1G
LMUN5235T1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.19349

1320

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19349

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LMUN5112T1G
LMUN5112T1G
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.13724

1740

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13724

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S-LMUN5314DW1T1G
S-LMUN5314DW1T1G
暂无

¥0.42705

640

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.42705

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LMUN5214T1G
LMUN5214T1G
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.13468

340

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13468

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LMUN5113DW1T1G
LMUN5113DW1T1G
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15862

3000

2-3 工作日

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合计: ¥0.15862

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