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SZBZX84C75LT1G是DIODE ZENER 75V 225MW SOT23-3，包括BZX84C75mL系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±6%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为75V，最大阻抗Zzt为255欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@52.5V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为75 V，电压容差为6%，电压温度系数为81 mV/K，Zz齐纳阻抗为255欧姆，Ir反向电流为50nA。
SZBZX84C75ET1G是DIODE ZENER 75V 225MW SOT23-3，包括75V电压齐纳标称Vz，设计用于在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，使用±6%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），系列设计用于BZX84C75 E，以及225MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为255欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@52.5V，配置为单体。
SZBZX84C6V8LT3G，带电路图，包括2μA@4V电流反向泄漏Vr，它们设计为在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为BZX84C6V8L，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备具有±6%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为6.8V。
