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SZBZX84C2V7LT1G是DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3，包括BZX84C4V7L系列，设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±7%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为2.7V，阻抗最大Zzt为100欧姆，电流反向泄漏Vr为20μA@1V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.7 V，电压容差为7%，电压温度系数为-1.75 mV/K，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为20uA。
SZBZX84C2V7ET1G是DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3，包括2.7V电压齐纳标称Vz，设计用于在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，该产品提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），该系列设计用于BZX84C4V7E，以及225MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大值Zzt为100欧姆，电流反向泄漏Vr为20μa@1V，配置为单一。
SZBZX84C30ET1G是DIODE ZENER 30V 225MW SOT23-3，包括单一配置，它们设计为在50nA@21V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于80欧姆，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度范围为-55°C~150°C，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为225mW，该器件为BZX84C30E系列，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），容差为±7%，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为30V。
