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SZBZX84C6V2LT1G是DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3,包括BZX84C6V2L系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.007090盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,高度设计为0.94 mm,长度为2.9 mm,设备也可以用作1.3 mm宽。此外,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-55°C~150°C,设备具有安装型表面安装,供应商设备包装为SOT-23-2(TO-236),配置为单一,公差为±6%,最大功率为225mW,电压齐纳标称Vz为6.2V,阻抗最大Zzt为10欧姆,电流反向泄漏Vr为3μA@4V,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为300mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为6.2 V,电压容差为6%,电压温度系数为2.05 mV/K,Zz齐纳阻抗为10欧姆,Ir反向电流为3uA。
SZBZX84C6V2ET3G带有用户指南,包括6.2V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±6%,提供供应商设备包功能,如SOT-23-3(to-236),该系列设计用于BZX84C6V2E,以及225mW最大功率,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-55°C~150°C,装置具有安装型表面安装,阻抗最大Zzt为10欧姆,电流反向泄漏Vr为3μa@4V。
SZBZX84C6V2LT3G,带电路图,包括3μA@4V电流反向泄漏Vr,它们设计为在10欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-55°C~150°C,包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作225mW最大功率。此外,该系列为BZX84C6V2L,该设备采用SOT-23-3(TO-236)供应商设备包,该设备具有±6%的容差,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,电压齐纳标称Vz为6.2V。