1N823A/TR

Name: 1N823A/TR
Brand: 微芯 (Microchip)
SKU: 21887342-1N823A/TR
Price: 25.422579 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度
品牌: 微芯 (Microchip)
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规格参数

部件状态可供货
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
制造厂商微芯 (Microchip)
公差 ±5%
标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
最大功率 500 mW
最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
供应商设备包装 DO-35（DO-204AH）
工作温度 -65摄氏度~175摄氏度
反向漏电流 @ 直流反向电压 2 A @ 3 V

1N823A/TR 产品详情

1N823A是一个温度补偿齐纳参考二极管，具有密封玻璃外壳、耐腐蚀镀锡引线表面和阴极极性。这种硅器件是低电平、温度补偿的齐纳参考二极管。氧化物钝化结使其具有稳定性，并使该二极管成为高度可靠的参考源。玻璃密封结构提供了坚固、密封的装置。

特色

7.5mA测试电流
10R最大阻抗

1N823A/TR 相关器件

型号	制造商	描述	价格
1N8167/TR	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 40伏最大钳位电压: 64.6V 供应商设备包装: Axial 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥173.68474
1N8152/TR	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 9伏最大钳位电压: 15.6伏供应商设备包装: Axial 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥173.68474
1N888 BK	中央半导体 (Central)	TRANSISTOR	¥45.66909
1N823A/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥25.42258
1N825A-1E3	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 5.89 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥32.37576
1N827	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥41.93639
1N827-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥41.93639
1N829-1/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥60.51479
1N829-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥59.21071
1N829A-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥59.21071

1N823A/TR所属分类：单齐纳二极管，1N823A/TR 由微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N823A/TR价格参考￥25.422579，你可以下载 1N823A/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N823A/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！