9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N827-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N827-1参考价格5.79000美元。Microchip Technology 1N827-1封装/规格：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35。您可以下载1N827-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N827是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35，包括散装包装，设计用于0.004833 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C~175°C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，容差为±5%，该器件的最大功率为500mW，该器件具有6.2V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
1N826是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7，包括6.2V电压齐纳标称Vz，其设计为在0.004833盎司单位重量下运行，公差显示在数据表注释中，以±5%使用，提供供应商设备包功能，如DO-7，功率最大设计为500MW，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AA、DO-7、轴向包装箱，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该设备采用通孔安装方式，该设备具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
1N825UR-1是DIODE ZENER 6.55V 500MW DO213AA，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~175°C，包装箱设计用于DO-213AA（玻璃）以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AA，该设备的容差为±5%，该设备具有6.55V的电压齐纳标称Vz。
