9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N827，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N827参考价格5.79000美元。Microchip Technology 1N827封装/规格：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35。您可以下载1N827英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N826是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7，包括散装包装，设计用于0.004833 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AA、DO-7、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-7供应商设备包。此外，容差为±5%，该器件的最大功率为500mW，该器件具有6.2V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
1N825UR-1是DIODE ZENER 6.55V 500MW DO213AA，包括6.55V电压齐纳标称Vz，其设计工作公差为±5%。数据表说明中显示了用于DO-213AA的供应商设备包，其提供功率最大功能，如500MW，包装设计为散装工作，以及DO-213AB（玻璃）包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备提供15欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有2μa@3V电流反向泄漏Vr。
1N825AUR-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于在10欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C，包装箱设计用于DO-213AA（玻璃）以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AA，该设备的容差为±5%，该设备具有6.2V的电压齐纳标称Vz。
