9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FUS1JE-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FUS1JE-7参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated FUS1JE-7包装/规格：ULTRAFAST GPP整流器DO-219AA。您可以下载FUS1JE-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1J-13-F是DIODE GEN PURP 600V 1A SMA，包括US1J系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.7V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为75ns。
带用户指南的US1JDF-13，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.7 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max，提供1.7 V等正向电压特性，供应商设备包设计为在D-Flat下工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该装置也可以用作D-FLAT系列。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装盒为2-SMD，扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
US1J-13是DIODE GEN PURP 600V 1A SMA，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供75ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMA，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.7V@1A。
US1JB-13-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。US1JB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
