9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的FUS1ME，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FUS1ME参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated FUS1ME封装/规格：ULTRAFAST GPP整流器DO-219AA。您可以下载FUS1ME英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1M-13-F是DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA，包括US1M系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1MDF-13是DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT，包括1.7V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于D-Flat的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在D-Flat中工作，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
US1M-13是DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备提供75ns反向恢复时间trr，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMA，直流反向电压Vr Max为1000V（1kV），正向电压Vf Max If为1.7V@1A。
US1M/63，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
