9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的FUS1DE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FUS1DE参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated FUS1DE包装/规格：FRED GPP整流器DO-219AA T&R。您可以下载FUS1DE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1D-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括US1D系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-65℃至+150℃，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在SMA供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
带用户指南的US1D/1，包括1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AC（SMA），提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为50ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为1A。
US1D-13是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供50ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMA，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
具有DIODES制造的EDA/CAD模型的US1DB-13-F。US1DB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
