9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH2DHE3_A/H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UH2DHE3_A/H参考价格为0.298美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH2DHE3_A/H封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载UH2DHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH2CHE3_A/I,带有引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表注释中显示了用于DO-214AA,SMB的包装箱,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AB(SMB)中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为2μA@150V,该器件提供1.05V@2A电压正向Vf Max。如果,该器件具有150V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为25ns,电容Vr F为42pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH2D-E3/52T是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA,包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AA(SMB)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为35ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该设备为表面安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为2μa@200V,电流平均整流Io为2A。
UH2D-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA,包括2A电流平均整流Io,它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作2μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-55°C~175°C,以及DO-214AA,SMB包装箱,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)替代包装包装。此外,反向恢复时间trr为35ns,设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,设备具有DO-214AA(SMB)供应商设备包,电压DC反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为1.05V@2A。