9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH2DHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH2DHE3_A/I参考价格为7.91美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH2DHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载UH2DHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH2CHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AA，SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AB（SMB）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@150V，该器件提供1.05V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为42pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH2D-E3/52T是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为2A。
UH2D-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有DO-214AA（SMB）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@2A。
