9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH2BHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH2BHE3/52T参考价格为6.636美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH2BHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA。您可以下载UH2BHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMB包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AB（SMB），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作2μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.05V@2A，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
UH2B-E3/5BT是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括1.05V@2A正向电压Vf Max。如果设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为2A。
UH277A，电路图由UTC制造。UH277A采用SIP4封装，是IC芯片的一部分。
