9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A10N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A10N8TA参考价格为2.466美元。Diodes Incorporated ZXMN6A10N8TA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC。您可以下载ZXMN6A10N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A09GTA是MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223，包括ZXMN6A系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.9 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25.3ns，典型接通延迟时间为4.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A09KTC是MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为32.5 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN6A系列，该器件的上升时间为4.6 ns，漏极-源极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为10.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11.2 A，下降时间为14.5 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZXMN6A09G，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A09G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
