9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A11GTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A11GTC参考价格为1.53美元。Diodes Incorporated ZXMN6A11GTC封装/规格：MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223。您可以下载ZXMN6A11GTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A11DN8TA是MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC，包括ZXMN6A111系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为330pF@40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，Rds On Max Id Vgs为120 mOhm@2.5A，10V，Vgs th Max Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg-Vgs为5.7nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.6ns，上升时间为3.5ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为3.2A，Vds漏源击穿电压为60V，Rds漏源电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8.2ns，典型接通延迟时间为1.95ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A11GTA是MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223，包括3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为1.95 ns，以及8.2 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，系列为ZXMN6A1，上升时间为3.5ns，Rds On Max Id Vgs为120mOhm@2.5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为180mOhm，功率最大值为2W，Pd功耗为3.9W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为TO-261-4、TO-261AA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为330pF@40V，Id连续漏极电流为4.4A，栅极电荷Qg Vgs为5.7nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为4.6ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A（Ta），配置为单双漏极，并且信道模式是增强。
ZXMN6A11DN8TC是MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于5.7nC@10V，除了330pF@40V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为1.8W，Rds On Max Id Vgs为120 mOhm@2.5A，10V，供应商器件封装为8-SOP，Vgs th Max Id为1V@250μa（Min）。
ZXMN6A11G，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN6A11G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
