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IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
Short circuit protection with auto restart
Over voltage protection (active clamp)
Over current protection
Input protection (ESD)
High continuous current rating
Load dump protection
Logic level input
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3A04KTC | 达尔科技 (Diodes rporated) | MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK | ¥15.06523 |
 | ZXMP10A17GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 | ¥2.05409 |
 | ZXMN6A10N8TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 供应商设备包装: 8-SO | ¥17.86099 |
 | ZXMN6A11GTC | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.08164 |
| ZXMS6004FFTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 低端 负载电压: 60V (Max) 供应商设备包装: SOT-23F | ¥4.55059 |
 | ZXMN6A25GTA(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.48057 |
| ZXMS6004SGQTA | LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1 | ¥0.00 | |
| ZXMS6005SGQTA | LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1 | ¥0.00 | |
| ZXMS81200SPQ-13 | HIGH SIDE INTELLIFET SO-8EP T&R | ¥0.00 | |
| ZXMS6008FFQ-7 | LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3 | ¥0.00 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
