9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCH072N60F-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCH072N60F-F085参考价格为25.562美元。onsemi FCH072N60F-F085封装/规格：MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3。您可以下载FCH072N60F-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FCH072N60带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供481 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.5 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V 30 V，Id连续漏极电流为52 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为97ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为95nC，正向跨导最小值为48S。
FCH070N60E，带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为29 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为28 ns，器件的漏极-源极电阻为70 mOhms，Qg栅极电荷为128 nC，Pd功耗为481 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为52 A，下降时间为28 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FCH072N60F是MOSFET N-CH 600V 52A TO247，包括52A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了8660pF@100V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，最大功率为481W，Rds On Max Id Vgs为72mOhm@26A，10V，系列为FRFETR、SuperFETR II、，供应商设备包为TO-247，Vgs th Max Id为5V@250μA。
