HY19P03D
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,45A
- 品牌: 华羿微 (HUAYI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.63240 | 2.63240 |
10+ | 2.21308 | 22.13083 |
30+ | 2.03326 | 60.99789 |
100+ | 1.80909 | 180.90950 |
500+ | 1.70925 | 854.62950 |
1000+ | 1.64935 | 1649.35300 |
- 库存: 5125
- 单价: ¥2.63240
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数量:
- +
- 总计: ¥2.63
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 90A
- 功率(Pd) 50W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6mΩ@10V,45A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
HY19P03D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HY19P03D 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HY19P03D价格参考¥2.632403,你可以下载 HY19P03D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HY19P03D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华羿微 (HUAYI)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46...