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HY19P03D
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HY19P03D

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,45A
  • 品牌: 华羿微 (HUAYI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.63240 2.63240
10+ 2.21308 22.13083
30+ 2.03326 60.99789
100+ 1.80909 180.90950
500+ 1.70925 854.62950
1000+ 1.64935 1649.35300
  • 库存: 5125
  • 单价: ¥2.63240
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.63
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 连续漏极电流(Id) 90A
  • 功率(Pd) 50W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6mΩ@10V,45A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
HY19P03D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HY19P03D 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HY19P03D价格参考¥2.632403,你可以下载 HY19P03D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HY19P03D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华羿微 (HUAYI)

华羿微 (HUAYI)

华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46...

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