HYG120P06LR1D
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,20A
- 品牌: 华羿微 (HUAYI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.40506 | 3.40506 |
| 10+ | 2.90060 | 29.00608 |
| 30+ | 2.67990 | 80.39727 |
| 100+ | 2.41717 | 241.71730 |
| 500+ | 2.29106 | 1145.53000 |
| 1000+ | 2.21749 | 2217.49400 |
- 库存: 3187
- 单价: ¥3.40506
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.41
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 55A
- 功率(Pd) 75W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12.5mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 46.3nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 4.882nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 195pF@25V
- 工作温度 +175℃@(Tj)
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| HYG120P06LR1D | 华羿微 (HUAYI) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,20A | ¥3.40506 |
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HYG120P06LR1D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HYG120P06LR1D 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HYG120P06LR1D价格参考￥3.405061，你可以下载 HYG120P06LR1D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HYG120P06LR1D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华羿微 (HUAYI)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46...
