HYG053N10NS1C2
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：83.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A
- 品牌: 华羿微 (HUAYI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.63626 | 3.63626 |
| 10+ | 3.03723 | 30.37230 |
| 30+ | 2.74296 | 82.28898 |
| 100+ | 2.44870 | 244.87010 |
| 500+ | 2.24902 | 1124.51100 |
| 1000+ | 2.15443 | 2154.43700 |
- 库存: 5625
- 单价: ¥3.63627
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.64
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 95A
- 功率(Pd) 83.3W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.6mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 73nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.744nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 153pF@25V
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| HYG053N10NS1C2 | 华羿微 (HUAYI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：83.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A | ¥3.63627 |
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HYG053N10NS1C2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HYG053N10NS1C2 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HYG053N10NS1C2价格参考￥3.636269，你可以下载 HYG053N10NS1C2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HYG053N10NS1C2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华羿微 (HUAYI)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46...
