HY1920P
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,45A
- 品牌: 华羿微 (HUAYI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 8.47061 | 8.47061 |
10+ | 7.23050 | 72.30500 |
50+ | 6.54738 | 327.36930 |
100+ | 5.78019 | 578.01960 |
500+ | 5.43338 | 2716.69250 |
- 库存: 580
- 单价: ¥8.47062
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数量:
- +
- 总计: ¥8.47
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 200V
- 连续漏极电流(Id) 90A
- 功率(Pd) 375W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@10V,45A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
HY1920P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HY1920P 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HY1920P价格参考¥8.470615,你可以下载 HY1920P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HY1920P规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华羿微 (HUAYI)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46...