HYG015N10NS1TA
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):380A 功率(Pd):428.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ@10V,100A
- 品牌: 华羿微 (HUAYI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 16.26862 | 16.26862 |
10+ | 14.19826 | 141.98264 |
30+ | 12.90560 | 387.16806 |
100+ | 11.57090 | 1157.09020 |
500+ | 10.66709 | 5333.54500 |
1200+ | 10.41486 | 12497.83560 |
- 库存: 2477
- 单价: ¥16.26863
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.27
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 380A
- 功率(Pd) 428.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.2mΩ@10V,100A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 205nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 12.3nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 250pF@25V
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
HYG015N10NS1TA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HYG015N10NS1TA 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HYG015N10NS1TA价格参考¥16.268625,你可以下载 HYG015N10NS1TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HYG015N10NS1TA规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华羿微 (HUAYI)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46...