IGD01N120H2
- 描述:暂无
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.17154 | 11.17154 |
| 200+ | 4.32989 | 865.97860 |
| 500+ | 4.17225 | 2086.12550 |
| 1000+ | 4.09868 | 4098.68500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.17154
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.17
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IGD01N120H2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IGD515EINPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MODULE GATE DRIVER | ¥99.49911 |
 | IGD15N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.30833 |
 | IGD06N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 9 A 最大功率: 31 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.5215 |
 | IGD01N120H2BUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3.2 A 最大功率: 28 W 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 |
 | IGD10N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.47419 |
 | IGD06N60TATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.90827 |
 | IGD515EI | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 单个的 电源电压: 12V～16V 供应商设备包装: Module 安装类别: 通孔 | ¥1,360.36148 |
| IGD515EI-34 | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 单个的 电源电压: 12V～16V 供应商设备包装: Module 安装类别: 通孔 | ¥1,567.43903 |
| IGD06N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥7.82954 |
| IGD01N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥11.17154 |
IGD01N120H2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGD01N120H2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGD01N120H2价格参考￥11.171543，你可以下载 IGD01N120H2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGD01N120H2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
