起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.52149 | 10564.49400 |
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600 V，6 A单电缆槽™ TO252封装中的IGBT3由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能的显著改善。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGD515EINPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MODULE GATE DRIVER | ¥99.49911 |
 | IGD15N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.30833 |
| IGD06N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 9 A 最大功率: 31 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.5215 |
 | IGD01N120H2BUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3.2 A 最大功率: 28 W 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 |
 | IGD10N65T6ARMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.47419 |
 | IGD06N60TATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.90827 |
 | IGD515EI | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 单个的 电源电压: 12V～16V 供应商设备包装: Module 安装类别: 通孔 | ¥1,360.36148 |
| IGD515EI-34 | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 单个的 电源电压: 12V～16V 供应商设备包装: Module 安装类别: 通孔 | ¥1,567.43903 |
| IGD06N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥7.82954 |
| IGD01N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥11.17154 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
