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IGD10N65T6ARMA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.47419 8.47419
10+ 7.60504 76.05045
100+ 5.92758 592.75890
500+ 4.89649 2448.24500
1000+ 4.48190 4481.90700
3000+ 4.48190 13445.72100
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    - +
  • 总计: ¥8.47
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大功率 75 W
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 23 A
  • 门电荷 27 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 42.5 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V,8.5A
  • 开关能量 200J (on), 70J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 30ns/106ns
  • 试验条件 400V, 8.5A, 47欧姆, 15V

IGD10N65T6ARMA1 产品详情

IGD10N65T6ARMA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGD10N65T6ARMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGD10N65T6ARMA1价格参考¥8.474193,你可以下载 IGD10N65T6ARMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGD10N65T6ARMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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