LNDFDF1.25-187A-5
- 描述:
- 品牌: 日本科学技术协会 (JST)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.78466 | 4.78466 |
- 库存: 100
- 单价: ¥4.78466
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数量:
- +
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LNDFDF1.25-187A-5 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | LND150N3-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | LND01K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 9 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 330毫安 (Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-5 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
 | LND150K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | LND150N8-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 |
 | LND250K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | LND150N3-G-P003 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 |
 | LND150N3-G-P002 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | LND150N3-G-P013 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | LND150N3-G-P014 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
| LNDFDF1.25-187A-5 | 日本科学技术协会 (JST) | ¥4.78466 |
LNDFDF1.25-187A-5所属分类：音频产品，LNDFDF1.25-187A-5 由 日本科学技术协会 (JST) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LNDFDF1.25-187A-5价格参考￥4.784660，你可以下载 LNDFDF1.25-187A-5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LNDFDF1.25-187A-5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
日本科学技术协会 (JST)
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