9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的LND150N3-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LND150N3-G-P003参考价格为0.64000美元。Microchip Technology LND150N3-G-P003封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3。您可以下载LND150N3-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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LND150N3-G-P013带有引脚细节，包括弹药包封装，设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供740 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1300 ns，上升时间为450 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为30 mA，且Vds漏极-源极击穿电压为500V，且Rds漏极漏极-漏极电阻为1000欧姆，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为100ns，且典型接通延迟时间为90ns，且沟道模式为耗尽。
带有用户指南的LND150N3-G-P014，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如90 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为450 ns，器件的漏极电阻为1000欧姆，Pd功耗为740 mW，封装为弹药包，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为30 mA，下降时间为1300 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
LND150N3-G-P002是MOSFET耗尽模式MOSFET，包括耗尽沟道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了1300 ns的下降时间，提供了30 mA的Id连续漏电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为740 mW，Rds漏极-源极电阻为1000欧姆，上升时间为450 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为100 ns，典型的接通延迟时间为90纳秒，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500伏，Vgs栅极-源极电压为20伏。
LND150N3-G-P003，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为以通孔安装方式操作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供Si等技术特性，封装设计为在卷筒中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可作为耗尽沟道模式使用。此外，典型的开启延迟时间为90 ns，器件提供740 mW Pd功耗，器件具有500 V Vds漏极-源极击穿电压，上升时间为450 ns，Id连续漏极电流为30 mA，Vgs栅极-源极电压为20 V，下降时间为1300 ns，Rds漏极源极电阻为1000欧姆，典型关断延迟时间为100纳秒，晶体管类型为1 N沟道，沟道数量为1沟道，单位重量为0.016000盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
