LND150K1-G是一种采用横向DMOS技术的高压N沟道耗尽型（常开）晶体管。LND150K1-G是常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大领域的高压应用的理想选择。
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和低CISS
- ESD门保护
LND150K1-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.76630 | 3.76630 |
| 25+ | 3.18687 | 79.67190 |
| 100+ | 2.78851 | 278.85170 |
| 3000+ | 2.78851 | 8365.55100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.40416
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.77
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管特性 耗尽型
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大功耗 360mW (Ta)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0伏
- 导通电阻 Rds(ON) 1000欧姆@500A、 0伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13毫安（Tj）
- 色彩/颜色 -
LND150K1-G 产品详情
LND150K1-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | LND150N3-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | LND01K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 9 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 330毫安 (Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-5 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
| LND150K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | LND150N8-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 |
 | LND250K1-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | LND150N3-G-P003 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 |
 | LND150N3-G-P002 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | LND150N3-G-P013 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | LND150N3-G-P014 | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | LNDFDF1.25-187A-5 | 日本科学技术协会 (JST) | ¥4.78466 |
LND150K1-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，LND150K1-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LND150K1-G价格参考￥3.404163，你可以下载 LND150K1-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LND150K1-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
