RQK0204TGDQATL-H
- 描述:
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.59319 | 0.59319 |
- 库存: 500
- 单价: ¥0.59319
-
数量:
- +
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RQK0204TGDQATL-H 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQK0604IGDQA#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 |
| RQK0603CGDQSWS-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥2.17287 |
| RQK0202RGDQAWS#H6 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥1.37615 |
| RQK0204TGDQAWS#H6 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥1.08644 |
 | RQK0607AQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: UPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.32934 |
| RQK0609CQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: UPAK 工作温度: 150摄氏度 | ¥126.75075 |
| RQK0608BQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | MOSFET | ¥46.91951 |
 | RQK0204TGDQA#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CHANNEL MOS FET POWER SWITCHIN | ¥0.72429 |
| RQK0204TGDQATL-H | 瑞萨电子 (Renesas) | ¥0.59319 |
RQK0204TGDQATL-H所属分类：音频产品，RQK0204TGDQATL-H 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQK0204TGDQATL-H价格参考￥0.593194，你可以下载 RQK0204TGDQATL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQK0204TGDQATL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
