P CHANNEL MOS FET POWER SWITCHIN
DigiKey
- - Tape and Reel (Alt: RQK0204TGDQA#H1) RoHS : Compliant
Avnet Americas
- RQK0204TGDQA - P Channel MOS FET Power Switching RoHS : Compliant
Rochester Electronics
RQK0204TGDQA#H1
- 描述:P CHANNEL MOS FET POWER SWITCHIN
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 629
- 库存: 0
- 单价: ¥0.72429
-
数量:
- +
- 总计: ¥455.58
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规格参数
- 部件状态 可供货
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- 应用及使用 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
RQK0204TGDQA#H1 产品详情
RQK0204TGDQA#H1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQK0604IGDQA#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 |
 | RQK0603CGDQSWS-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥2.17287 |
| RQK0202RGDQAWS#H6 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥1.37615 |
| RQK0204TGDQAWS#H6 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CH MOS FET POWER SWITCHING | ¥1.08644 |
 | RQK0607AQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: UPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.32934 |
| RQK0609CQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: UPAK 工作温度: 150摄氏度 | ¥126.75075 |
| RQK0608BQDQS#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | MOSFET | ¥46.91951 |
| RQK0204TGDQA#H1 | 瑞萨电子 (Renesas) | P CHANNEL MOS FET POWER SWITCHIN | ¥0.72429 |
| RQK0204TGDQATL-H | 瑞萨电子 (Renesas) | ¥0.59319 |
RQK0204TGDQA#H1所属分类：专用芯片，RQK0204TGDQA#H1 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQK0204TGDQA#H1价格参考￥0.724290，你可以下载 RQK0204TGDQA#H1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQK0204TGDQA#H1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
