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RQK0609CQDQS#H1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: UPAK 工作温度: 150摄氏度
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥126.75075
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    - +
  • 总计: ¥126.75
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 至243AA
  • 工作温度 150摄氏度
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@1毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@2A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 470 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 UPAK
  • 样式 -

RQK0609CQDQS#H1 产品详情

RQK0609CQDQS#H1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RQK0609CQDQS#H1 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RQK0609CQDQS#H1价格参考¥126.750750,你可以下载 RQK0609CQDQS#H1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RQK0609CQDQS#H1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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