GAL22V10具有4ns的最大传播延迟时间，将高性能CMOS工艺与电可擦除（E2）浮栅技术相结合，提供市场上任何22V10器件中可用的最高性能。与双极型22V10器件相比，CMOS电路允许GAL22V10-20LVI消耗更少的功率。E2技术提供高速（<100ms）擦除时间，提供快速高效地重新编程或重新配置设备的能力。
通用架构通过允许用户配置输出逻辑宏单元（OLMC），提供了最大的设计灵活性。GAL22V10-20LVI具有与标准双极和CMOS 22V10器件完全兼容的功能/熔丝图/参数。
独特的测试电路和可编程单元允许在制造过程中进行完整的交流、直流和功能测试。因此，莱迪思半导体提供了所有GAL产品100%的现场可编程性和功能性。此外，还规定了100个擦除/写入周期和超过20年的数据保留期。
特色
•高性能E2CMOS®技术
-4 ns最大传播延迟
-Fmax=250 MHz
-从时钟输入到数据输出的最大3.5 ns
-UltraMOS®高级CMOS技术
•所有引脚上的主动上拉
•兼容标准22V10设备
-全功能/熔丝图/参数兼容双极和UVCMOS 22V10器件
•与双极相比，功率降低50%至75%
-90mA低功率器件上的典型Icc
-45mA典型Icc四分之一功率器件
•E2电池技术
-可重构逻辑
-可重新编程的电池
-100%测试/100%产量
-高速电擦除（<100ms）
-20年数据保留
•十个输出逻辑宏单元
-复杂逻辑设计的最大灵活性
•寄存器的预加载和通电复位
-100%功能测试性
应用
-DMA控制
-状态机控制
-高速图形处理
-标准逻辑速度升级
（图片：引出线）
