GAL16V8的最大传播延迟时间为3.5 ns，将高性能CMOS工艺与电可擦除（E2）浮栅技术相结合，以提供PLD市场上可用的最高速度性能。高速擦除时间（<100ms）允许设备快速高效地重新编程。
通用架构通过允许用户配置输出逻辑宏单元（OLMC），提供了最大的设计灵活性。GAL16V8D-3LJN可能的许多架构配置中的一个重要子集是宏小区描述部分表中列出的PAL架构。GAL16V8D-3LJN设备能够模拟任何具有全功能/熔丝图/参数兼容性的PAL架构。
独特的测试电路和可编程单元允许在制造过程中进行完整的交流、直流和功能测试。因此，莱迪思半导体提供了所有GAL产品100%的现场可编程性和功能性。此外，还规定了100个擦除/写入周期和超过20年的数据保留期。
特色
•高性能E2CMOS®技术
-3.5 ns最大传播延迟
-Fmax=250 MHz
-从时钟输入到数据输出最大3.0 ns
-UltraMOS®高级CMOS技术
•双极功率降低50%至75%
-低功耗设备上的75mA典型Icc
-四分之一功率装置上的45mA典型Icc
•所有引脚上的主动上拉
•E2电池技术
-可重构逻辑
-可重新编程的电池
-100%测试/100%产量
-高速电擦除（<100ms）
-20年数据保留
•八个输出逻辑宏单元
-复杂逻辑设计的最大灵活性
-可编程输出极性
-还模拟具有全功能/保险丝图/参数兼容性的20针PAL®设备
•所有寄存器的预加载和通电复位
-100%功能测试性
应用
-DMA控制
-状态机控制
-高速图形处理
-标准逻辑速度升级
