GAL20XV10B-15LJ将高性能CMOS工艺与电可擦除（E2）浮栅技术相结合，提供市场上最高速度的异或PLD。GAL20XV10B-15LJ的最大Icc为90mA（典型Icc为75mA），与双极型产品相比，可大幅节省功率。E2CMOS技术提供高速（＜100ms）擦除时间，提供快速高效地重新编程、重新配置或测试设备的能力。
通用架构通过允许用户配置输出逻辑宏单元（OLMC），提供了最大的设计灵活性。GAL20XV10B-15LJ可能的许多体系结构配置中的一个重要子集是本文档宏单元描述部分中列出的PAL®体系结构。GAL20XV10B-15LJ能够模拟具有全功能和参数兼容性的PAL架构。
独特的测试电路和可编程单元允许在制造过程中进行完整的交流、直流和功能测试。因此，莱迪思半导体提供了所有GAL产品100%的现场可编程性和功能性。此外，还规定了100个擦除/写入周期和超过20年的数据保留期。
特色
•高性能E2CMOS®技术
-10 ns最大传播延迟
-Fmax=100 MHz
-从时钟输入到数据输出的最大7 ns
-TTL兼容16 mA输出
-UltraMOS®高级CMOS技术
•双极功率降低50%至75%
-90mA最大Icc
-75mA典型Icc
•所有引脚上的主动上拉
•E2电池技术
-可重构逻辑
-可重新编程的电池
-100%测试/100%产量
-高速电擦除（<100 ms）
-20年数据保留
•十个输出逻辑宏单元
-所有输出上的XOR门功能
-与PAL12L10、20L10、20X10、20X8、20X4的全功能和参数兼容性
-极性注册或组合
•所有寄存器的预加载和通电复位
应用
-高速计数器
-图形处理
-比较器
（图片：引出线）
