9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MUH1PD-M3/89A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUH1PD-M3/89A参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MUH1PD-M3/89A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP。您可以下载MUH1PD-M3/89A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MUH1PC-M3/89A是DIODE GEN PURP 150V 1A MICROSMP，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了MICROSMP中使用的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于MICROSMP，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@150V，该器件提供1.05V@1A正向电压Vf Max If，该器件具有150V的电压DC反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为150 V，如果正向电流为1A，恢复时间为40ns。
MUH1PCHM3/89A是DIODE RECT 1A 150V 25NS MICROSMP，包括1.05V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于MICROSMP的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，以及40ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为MicroSMP，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MUH1PDHM3/89A是DIODE RECT 1A 200V 25NS MICROSMP，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作MicroSMP封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供40ns反向恢复时间trr，该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为MicroSMP，电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.05V@1A。
